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湿电子化学品又称工艺化学品，是指主体成分纯度大于 99.99%，尘埃颗粒粒径控制在 0.5µm 以下，杂质含量低于ppm级的化学试剂，是目前所有化学试剂中对颗粒控制、杂质含量要求最高的试剂。湿电子化学品主要作用为清洗剂被广泛应用于微电子、光电子湿法工艺中，其核心要素为超高洁净度和超低杂质含量，因而它对原料、纯化方法、配方工艺、容器、生产设备、环境控制、测试和运输设备等都有极为严格的要求。为了区分不同等级的湿电子化学品，国际半导体设备和材料组织（SEMI）通过湿电子化学品中金属杂质含量、控制粒径范围和颗粒个数等各项指标将湿电子化学品划分为 G1-G5 五个等级，其中G5 等级的湿电子化学品要求最高，金属杂质浓度需达到10ppt级别，一般用于半导体行业高端集成电路，对应 12 英寸的晶圆制备为主。G1等级的湿电子化学品要求最低，金属杂质浓度仅需达到10ppm级别，控制粒径大于等于1.0 µm，颗粒个数小于等于25个/mL 即可，对应下游行业为分立器件和太阳能电池板。中间的G2-G4等级湿电子化学品主要用于面板行业和半导体行业中中低端集成电路。
1.G5级别的极致要求：
G5是当前最高级别，主要用于先进制程（如小于0.09µm或90nm，以及更先进的12英寸晶圆制造），其要求极为苛刻：
金属杂质含量：通常要求单项金属杂质含量小于1 ppt，总金属杂质含量小于10 ppt。
阴离子杂质：如氯离子（Cl⁻）、硫酸根离子（SO₄²⁻）等也需严格控制，一般要求在1-10 ppb级别。
颗粒控制：要求大于0.5µm的颗粒数少于1个/mL，部分高端应用甚至对大于0.2µm的颗粒数有极严限制。
电阻率：在25°C时，电阻率需达到18.2 MΩ·cm（接近理论纯水的电阻率值），以确保极低的离子含量。
2.不同工艺环节的要求差异
前端关键工艺（如晶圆制造中的清洗、蚀刻、光刻等）：通常需使用G4及以上级别的化学品，尤其是涉及栅极、介质层、浅沟槽隔离等关键结构的步骤。先进制程（如28nm、14nm及更小）往往要求G5级别。
后端工艺及封装：对纯度的要求相对前端制造可适当放宽，可能会使用G3或G4级别的产品。
3.解读SEMI标准
SEMI标准由国际半导体产业协会制定，是全球半导体行业公认和广泛采用的标准。它主要通过对金属杂质含量、颗粒含量和控制粒径的严格控制，来定义湿电子化学品的纯度级别，以适应不同线宽的集成电路制造工艺。
数字和等级的关系：在SEMI标准中，数字编号（如C1, C7, C8, C12）和Grade等级（如Grade1, Grade2）是联合使用、一一对应的。例如，SEMI-C1标准对应的是Grade1级别的化学品。通常，数字越大或Grade等级数字越小，代表的纯度要求越高。例如，C12 (Grade4) 的要求远比C1 (Grade1) 苛刻。
“C12”与“Grade5”：您可能会注意到表格中出现了“C12 (Grade4)”和“Grade5”。在一些资料中，Grade5被视为最高等级，适用于更先进的制程（如线宽<0.09μm）。它有时也被单独列出，表明其技术指标通常由供需双方协商确定，代表了当前最顶尖的水平。
4.其他标准体系
除了SEMI国际标准，市场上还存在一些区域性或企业标准：
国内标准：中国国内有一些历史形成的标准，如BV系列标准（如BV-III, BV-IV等）。这些标准与国际SEMI标准有大致对应关系，但SEMI标准在国际上更通用和权威。
其他国外标准：例如欧洲的德国默克（Merck）标准、日本的关东化学（Kanto）和和光纯药工业（Wako）标准等，这些通常在某些特定区域或领域内有其影响力。
5.技术挑战与分类 制备G5级别的湿电子化学品技术门槛极高,目前核心技术主要掌握在欧美、日韩等少数企业手中。 技术难点主要在于： ·超高纯纯化技术：如何将金属杂质稳定地控制在ppt级别。
·超洁净包装与储存技术：防止二次污染。
·分析检测技术：准确测量ppt级别的杂质含量。
·批次稳定性控制：保证大规模生产的产品质量一致。
目前，国内湿电子化学品产业在G2、G3级别已较为成熟，但G4及以上更高端的产品仍很大程度上依赖进口，国产替代空间广阔。
根据观研报告网发布的《中国湿电子化学品市场发展态势分析与投资战略预测报告(2023-2030年)》显示，从大类来分，一般可划分为通用湿电子化学品和功能湿电子化学品。根据中国电子材料行业协会数据，通用湿电子化学品占比88.2%，其中过氧化氢占比16.7%，氢氟酸占比16%，硫酸占比15.3%，硝酸占比14.3%。功能湿电子化学品占比11.8%，其中MEA等极性溶液占比3.2%，显影液(半导体用)占比2.7%，蚀刻液(半导体用)占比2.2%。
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