微电子

光刻工艺
光刻的原理是在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线（一般是紫外光、深紫外光、极紫外光）透过掩模照射在硅片表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应。此后用特定溶剂洗去被照射/未被照射的光刻胶， 就实现了电路图从掩模到硅片的转移。光刻工艺对极小污染物的控制苛刻到极致，同时严控过滤产品的金属离子析出。最强耐腐蚀全氟滤芯采用进口PTFE膜，进口PTFE支撑层，全氟骨架经过特殊结构设计而制成适用于光刻胶的终端过滤。